Mantab ini thread, mari berbagi tentang TR, the hearth of power amp:

Pertama, mari kita telaah mengenai "susunan kimiawi dan reaksi elektron" pada TR.

TR tersusun atas 3 kepingan semikonduktor dan tergantung jenisnya:

1. P-N-P (Collector = P, Base = N, Emitter = P)
2. N-P-N (Collector = N, Base = P, Emitter = N)

Keping N dibuat dari semikonduktor semacam silicon (Si) ataupun germanium (Ge) ditambah Arsenide (Arsen, As). Keping P dari semikonduktor silicon ataupun germanium ditambah Boron (Br).

Sedianya, keping semikonduktor murni berupa silicon, germanium, galium, ataupun metal-oxide (untuk FET/V-FET/C-MOS/MOSFET/MESFET/P-MOS/N-MOS) berkadar elektron 4 dan 1 proton. Setelah dikotori Boron (Br), maka akan timbul 1 kekosongan (hole) dimana atom Boron tersusun 3 elektron dan 1 proton maka bersifat resitif dan membentuk keping P. Jika dikotori atom Arsenide, akan timbul 1 kelebihan elektron dimana Arsenide tersusun 5 elektron dan 1 proton, maka bersifat eksplosif dan membentuk keping N. Kadar penggabungan antara Si+As, Si+Br ataupun Ge+As, Ge+Br menentukan resistensi setiap model kepingan. Kadar penggabungan ini menghasilkan "kekotoran" atau "impurity" dalam susunan semikonduktor murni.

Jika keping N dan P digabungkan, maka dihasilkan komponen DIODA. Dari dasar dioda ini, reaksi elektron antar keping semikonduktif terjadi pada area sambungan atau "Junction"; jika keping N mendapat sumber elektron, maka kelebihan elektron pada atom As akan berpindah ke "hole" atom Boron pada keping P sehingga terjadi hantaran elektron temporar. Tingkat impurity atau pengotoran atom As dan Br ini menentukan berapa banyak elektron yang dipindahkan hingga dimungkinkan terjadi spesifikasi kuat arus dan menimbulkan nilai hambatan tertentu selama pemindahan.
Dioda inilah nantinya sebagai dasar teknik pembuatan keping Base-Emitter (BE).

Bagaimana dengan keping BC atau Base-Collector? Ini teknik lebih rumit dikenal sebagai dioda-dadalan atau "Zener" (susunan ratusan (bahkan ribuan) dioda serial, dengan satu dioda memparalel semua yang terserial secara berlawanan sebagai shotkey), maka dari itu, keping Basis-Kolektor akan berkarakter "tegangan bocor" hingga batas tertentu (VCBO) jika Emitter mengambang. (Ini menjawab pertanyaan ke-2 Mas Indra).

Mengenai kemampuan mengalirkan arus, sebenarnya bersifat asinkron dan tergantung model penguat serta karakter penguatan transistor. Penguat model static-grounded-emitter tidak bertempramen menguatkan arus, tetapi bertempramen kolektif terhadap amplitudo dan bersifat invert terhadap input, maka sering disebut penguat amplitudo atau "potensial amplifier".
Sementara, penguat model static-common-collector bertempramen menguatkan arus tetapi tidak bertempramen kolektif terhadap amplitudo sinyal; penguatannya lurus dan berbanding lurus terhadap amplitudo sinyal input (1:1), maka ini sering disebut pengikut tegangan atau VFA (Voltage Follower Amplifier).

-- Kira - kira demikian dulu, jika salah mohon koreksi --

berarti kemampuan tegangannya berdasarkan susunan kimianya yah ?

Quote :

Mantab ini thread, mari berbagi tentang TR, the hearth of power amp:

kenapa ada ini, karena banyak pertanyaan
1. kok TR ini mati saya beri tegangan segini ?
2. adakah subtitusi pengganti TR A dengan type B ?
3. arus blm max sesuai datasheet kok sudah mati ?
4. TR apa yg cocok untuk ampli saya ?

padahal jawabannya semuanya ada di dasar-dasar TR.

betul mod, pengetahuan dasar yang wajib dipahami.

indra_co_maniz wrote:

berarti kemampuan tegangannya berdasarkan susunan kimianya yah ?
...
1. kok TR ini mati saya beri tegangan segini ?
2. adakah subtitusi pengganti TR A dengan type B ?
3. arus blm max sesuai datasheet kok sudah mati ?
...

padahal jawabannya semuanya ada di dasar-dasar TR.

Untuk point 1-3 pertanyaan Mas Indra kira-kira ini jawabn versi saya (versi rekan solf lainnya kami tunggu...):

1. Tegangan rendah tetap berpotensi fatal pada TR penguat daya sekalipun, jika (1) arus resource catu daya besar karena nilai faktor redaman catu daya tinggi (trafo catu daya cukup besar), (2) jika arus bias cukup besar atau berlebihan dan pada saat bersamaan TR juga menguatkan sinyal mengandung unsur DC (tidak 100% sinusoidal) termediasi pada impedansi cukup rendah, dan (3) terjadi propagasi penguatan dimana sinyal pada collector ataupun emitor mengalami tundaan terhadap basis--ini disebut fenomena "somersaulting" atau keterbalikan aliran arus pada keping-keping semikonduksi dari arah N menuju P.

2. Tentu demikian, perusahaan komponen TR setidaknya memproduksi ekuivalensi antar tipe. Namun demikian, ini cukup komplikatif mengingat kita harus menemukan di buku manual/datasheet.

3. Arus dibawah nominal belum tentu aman jika diterapkan diatas batas tegangan bocor suatu TR. Secara faktual dalam praktek, fenomena tegangan bocor bahkan menjadikan TR telah "hidup tanpa bias maju" (bahkan sangat mungkin Collector-Emitter telah berimpedansi cukup rendah dan mengalirkan arus searah cukup besar saat kritis semacam ini, hingga temperatur TR bersangkutan melonjak dan merusak TR).


(nyengir dulu ah... siapa tahu udah nulis panjang ternyata salah semua...)

izin menyimak

ngikut aja de

Silahkan Mas-mas semua...

Mohon koreksi untuk jawaban saya di atas. Silahkan rekan-rekan tinjau yang ada di buku-buku panduan elektro sebagai perbandingan, jika saya ada salah mohon dimaafkan (soalnya saya on-line pake warnet... ).