Power amplifier FET , gimana cara design dan cara buatnya ? (advice)

First topic message reminder :

silahkan bagi yang punya pengalaman di sharing saya menyusul dari belakang...

nb : sambungan dari SOAR so what

inilah mengapa saya ragu-ragu bikin amplifier mosfet. selain daya yang terbuang terlalu besar, boros dana lagi. ndak enviromental friendly babar blas.

saya baca di artikel ESP bahwa FET jauh lebih tahan terhadap :
- panas (berarti dapat menggunakan heatsink yang lebih kecil dari BJT pada daya yang sama),
- sinar-X
- Radiasi cosmic (untuk perangkat di luar angkasa)
- beberap MosFET sudah dilengkapi internal protection (mungkin bisa dikatakan 'tidak memerlukan output short circuit protection').

eudea wrote:

inilah mengapa saya ragu-ragu bikin amplifier mosfet. selain daya yang terbuang terlalu besar, boros dana lagi. ndak enviromental friendly babar blas.

Kalau begitu pakai Class-AB aja. Bukannya mau FET atau BJT sama aja boros kalau untuk Class-A.

di Quasi-web ada tuh N-channel QCP, pake HEXFET yg 'murah', kayak IRF740/IRF830/IRF840, tapi bagian drivernya yang dibuat 'lebih baik' dan sudah dikonsultasikan ke DIY forum pula..

sekarang untuk PA rata2 sudah menggunakan jenis fet,
tapi kelas nya sudah kelas H, menurut kabar efisiensinya mencapai 90%

tapi untuk kelas "telinga emas" tetap cenderung pada kelas A,
suara nya itu yang bikin "edhab edhabi" dengan kata lain Sound Quality terbaik dibanding kelas yang lain,

ikut membaca dulu........

indra_co_maniz wrote:

berarti diodenya banyak yah, di gate ada disistem juga ada, nentuin ukuran zennernya gimana lae pakai 1/2 Vcc atau 2Vcc ?

mengenai power dengan IC JetFET memang sebaiknya menggunakan power FET juga dan atau power class A agar saling mendukung, sedangkan IC bipolar mendukung power class AB dan sejenisnya, cocok.

baru baca-baca lagi, ini beberapa hasil penerawangan :

nilai Zener ditentukan oleh grafik Drain Current Vs Gate-Source voltage.
misalnya supply 35V dan tegangan output maksimum adalah 30V dengan beban 8R maka arus yang dikeluarkan adalah :
30V / 8R = 3.75 Ampere(peak).
cari pada grafik Id Vs Vgs pada 3.75A butuh Vgs berapa Volt.
misalnya didapat untuk 3.75A diperlukan Vgs 4V, ambil nilai yang sedikit lebih besar untuk memberi jarak aman, misalnya Id : 7A , Vgs : 6V
pakai saja Zener 6v2.

sayang pada datasheet HITACHI 2SK1058 grafik Id vs Vgs tidak terdapat nilai untuk Id lebih dari 1A, tidak tahu untuk Zener 15V + 0.65V(seperti pada gambar) bisa maksimum untuk berapa Ampere.



sedangkan nilai R gate saya masih kira-kira, seperti ini :
Rg 560R ditentukan berdasarkan input capacitance (Ciss) dari MosFET yang bersangkutan.
Ciss untuk 2SK1058 adalah 600pF.

maka R gate dan Ciss membentuk intregrator (LPF) sebesar :
f = 1/(2*pi*Rg*Ciss)
f = 1/(2pi*560R*600pF)
f = 474kHz (-3dB).

atau Rg = 1/(2*pi*f*Ciss)

menentukan nilai Rg merupakan pemilihan antara stabilitas dan Bandwidth.

ada yang bilang untuk menentukan nilai optimum untuk Rg ada pada application note IRF (international rectifier), tapi saya belum nemu di app note yang mana, kalau mau cari aja sendiri

oiya, untuk jenis HEXFET (HEXFET termasuk Vertical type- untuk switching, 2SK1058 termasuk lateral type- untuk audio), arus bias (Iq) juga dominan dalam menentukan linearitas freq tinggi.

misalnya output pakai IRF740 dan ingin bermain bagus sampai 20kHz. maka :
Iq = f * Qg * 100
dimana f : freq max
Qg : total Gate charge
100 adalah faktor aman.

Qg untuk IRF740 adalah 35nC (nano Coulomb)
Iq = 20kHz*35nC*100
Iq = 70mA / MosFET.


kenapa freq (Hz) dikali Coulomb = Ampere????

Coulomb (C) = Ampere / detik.
freq (f) = 1/T

sama saja Iq = Qg / f * 100
Iq = 0.000035 mA/s : 0.00005 s * 100
Iq = 0.7mA * 100
Iq = 70 mA