Power amplifier FET , gimana cara design dan cara buatnya ? (advice)

silahkan bagi yang punya pengalaman di sharing saya menyusul dari belakang...

nb : sambungan dari SOAR so what

kok blm ada yg isi yah ?
kemarin keknya rame mau bahas FET power ...

Menurut artikel dan pengalaman sih tr fet lebih mid high sedangkan tr bipolar lebih midlow tul ga yaaaa???

kira-kira begini aja kali yah :

mid high sampai high masuk kategori TUBE
mid semi high + semi low masuk kategori FET
mid low sampai low masuk kategori SOLID STATE ?,


setujuh ga siapa tahu ada yg punya pendapat lain...

No Comment....
kaya artis ajah...

Kalau aku lebih prefer di Fet,karena banyak keunggulan spesikasi nya......
Tapi apa mungking kurang begitu cocok di lapangan.

1.THD (Total harmonics Distorsition) pasti lebih rendah
2.Slew rate pasti di atas 10v/mikro detik (karena waktu turn-on time/fall time sangat cepat
kisaran Nano second,sedang Transistor mikro second.
3.Walau Mid-low-high..tapi lebih sempurna untuk reproduksi nada flat,jadi lebih natural

Kalau di tanya hitungan ....wik......pening deh.....lagi pula ini kan sharing,bukan theori baku..
Pabrikan sendiri punya masing-masing jurus,yang mengatakan dia yang paling the best.

Tapi ......hal yang paling aku setuju dari boss indra, penempatan komponen di mana yang pass
,aku setuju,jangan karena MKT bagus,lansung kita buat MKT semua,tanpa lihat letak nya pada By pass atau couple.
aku sih udah lama ninggalin sound big power,jagi udah agak hang,itu maka nya masuk forum ini,supaya lebih menggali lagi.....

thx infonya lae sirait

1. cocok dengan saya.
2. FET (speed) kecepatan gerak lebih cepat nS (nano second) daripada transistor uS (micro second) saya sederhanakan agar yg lain mudah paham, dan yg ini juga saya cocok.
3. keknya kalau masalah natural agak susah lae katanya tube lebih baik ( ga tahu juga pastinya ) tetapi FET lebih bertanggung jawab suara dibandingkan transistor dan lebih murah dibandingkan tube jadi karakternya mix antara FET dan solid state.

teori yg pertama dibahas adalah " gimana meletakan zenner di basis FET ? " silahkan lae sirait yg mulai duluan, ini ga pakai acara pabrikan hitungan yg sederhana aja yah lae..

mengenai penempatan komponen saya juga cocok, karena sama aja dengan koki yg masak bukan berarti banyak cabe jadi super hot, lalu banyak msg jadi gurih, tetapi kombinasi tiap komponen, kalau memang ada komponen yg jelek sdh pasti di close karena tidak memenuhi penelitian, betul khan lae ?

saya sekarang lebih memilih sound medium power karena, karena biaya rent ga seimbang kalau buat big power, si penyewa maunya harga serendah mungkin yah jadinya ikutin pasaran aja sama seperti lae ihut, hee...

fet kan ada tiga kaki Gate,source,drain (pada tr basis,colector,emitor).kita ambil contoh saja
Sk135/Sj50,sebenar nya pada kaki Gate sudah ada proteksi,sperti dioda zenner,untuk menjaga kelebihan teganan drive dari tansitor sebelum nya.

Memang secara keseluruhan Mosfet hampir medekati Tube,yang membedakan cuma output nya aja, mosfet bisa sangat rendah impendansi bisa samapi 2 ohm.
Untuk input mosfet sangat tinggi,sehingga sangat mudah dalam pe maching an dengan op-amp
sangat cocok dengan jenis op-amp yang mosfet juga, seperti Lf357,Lf 358 Tl 084 dll

berarti diodenya banyak yah, di gate ada disistem juga ada, nentuin ukuran zennernya gimana lae pakai 1/2 Vcc atau 2Vcc ?

mengenai power dengan IC JetFET memang sebaiknya menggunakan power FET juga dan atau power class A agar saling mendukung, sedangkan IC bipolar mendukung power class AB dan sejenisnya, cocok.

Kalau penentu besaran Zenner pada Gate-source menurut saya bukan dari Vcc, tapi dari jenis fet yang digunakan.yaitu Absolut Maximun Ratings, Gate-source voltage(Vgss), yang setiap fet berbeda (kalau di tr SOAR).

pada gambar diatas, berarti tegangan gate-source adalah 15V-0,3V= 14,7v....
tapi absolut nya +- 15v....

Kalau gini ceritanya,....kudu buka literatur lagi boss......udah lama nih..

dan



sedikit membantu rekan yg lainnya, ini saya masukan gambar spek..

nilai 15Volt dan 0,3Volt darimana lae ?
mohon bantuannya

skema diatas itu skema cresendo yah lae ?

upss.............sory.....seharus nya 0,7 volt......
dan bukan di kurang gitu ,seharus nya 15v+0,7=15,7 volt
karena untuk dioda germanium punya arus bocor 0,7v,dan silikon punya arus bocor 0,3 v.

salah perkiraan

Ampyuuun .....

sy monitor aja deh ......

gambar diatas memang cressendo....tpi masih bingung upload nya......masih gaptek....
xi...xi...xi.....


@lae juntak......jangan monitor aja lah ...kasih tanggapan,biar kita sama-2 belajar.
kita lae kandung lho,yang dirumah boru juntak mardauk no 16........

sirait wrote:

@lae juntak......jangan monitor aja lah ...kasih tanggapan,biar kita sama-2 belajar.
kita lae kandung lho,yang dirumah boru juntak mardauk no 16........

Bah begitunya .....
sy hutabulu no 15 dr padangsidimpuan Lae
tp kalo natua tuai sian Balige

di cressendo Vgss 14 volt, jadi nilai zenner dibawah itu yah lae ?
maka di pasang 12Volt ?

nentuin nilai resistor gate gimana lae, tk's ?

kalau ada kesulitan upload, kasih linknya nanti saya yang masukan lae

Huiih matabh neh akhirnya ketemu juga yg dah nyoba amplee Mosfet. Cita-cita dari dulu yg ga kesampean karena mikir susyeh nyari komponennya (mosfet), Dua jenis amplee yg pingin banged dicoba rakit yaitu: Mosfet dan Tube/Valve. Yang terakhir boleh juga tuh dibahas biar lebih kumplit lagi perbendaharaan forum ini, ya gak??

Lanjuuut.....